Эволюция технологий и материалов силовой полупроводниковой микроэлектроники

Часть 3. Российская силовая электроника: десятилетия упущенных возможностей или ожидание эволюционного скачка

Статья Дмитрия Боднаря к.т.н., генерального директора АО «Синтез Микроэлектроника», в журнале «Электронные компоненты» №9/2026

В период становления китайской микроэлектроники в 1990–2000-е гг. некоторые наши предприятия («Микрон», «Ангстрем», «ВЗПП») даже имели изделия с экспортной платформой и поставляли их в ЮВА. Это были простые микросхемы регуляторов, стабилизаторов напряжения, компараторов, операционных усилителей и т.д., диодов Шоттки в составе пластин диаметром 100 и 150 мм. ВЗПП также поставлял небольшое количество корпусированных СВЧ-транзисторов в США, а брянский «Кремний Эл» экспортировал пластины с диэлектрической изоляцией. Одними из наиболее конкурентных для экспорта были пластины диодов Шоттки на напряжения 100 В и особенно на 150–200 В, в отношении которых азиатские производители еще не могли составить конкуренцию, поскольку такая продукция ими еще не выпускалась. Основную конкуренцию по диодам Шоттки, но в корпусированном виде (поскольку в чипах не продавались), нам составляли изделия компаний IR и STMicroelectronics и только с максимальным напряжением до 150 В. Автор данной статьи – создатель этой продукции и один из руководителей «ВЗПП-Микрон» в 2005–2006 гг. – иногда совместно со специалистами и руководителями «Микрона» и «Ситроникса» многократно посещал Тайвань, Южную Корею, Китай, Гонконг для продвижения продукции предприятия и видел происходящее изнутри. Следует заметить, что в этот период конкуренцию российским экспортерам по микросхемам силовой электроники также составляло белорусское предприятие «Интеграл», которое по упомянутым изделиям ни в чем не уступало нашим изготовителям.

Статья по ссылке: https://russianelectronics.ru/evolyucziya-tehnologij-i-materialov-silovoj-poluprovodnikovoj-mikroelektroniki-3

Оформить подписку на журнал

Размещение материалов в журнале