长鑫存储宣称内存突破，领先三星与海力士
长鑫存储总裁曹堪宇在上海行业会议上称，公司计划年底前推出采用 4F² 设计的数据中心服务器内存芯片，若成功将先于三星和 SK 海力士实现该突破。消息引发芯片股抛售，三星与 SK 海力士周二在韩国下跌逾 7%，美光隔夜下跌 4%。
分析人士提醒，从发布到可盈利量产仍存在时间差。Counterpoint 数据显示，长鑫存储今年二季度 DRAM 市场份额升至 10%，去年同期为 4%。
Bloomberg
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华人日记 长鑫科技第五代技术平台正式量产 9 月 20 日，在 2026 世界制造业大会上，长鑫科技宣布第五代技术平台正式量产。基于该平台打造的 24 GB LPDDR5X 产品已进入量产，并全面进入国产主流旗舰手机。 该平台将内存阵列有源区半间距缩至 11.95 纳米，存储器电容深宽比达 45:1，核心动能区高度降至 6762 纳米；同等条件下，每张晶圆产出较上一代提升 50% 以上。 澎湃新闻
