长鑫存储拟进军闪存市场
中国存储芯片企业长鑫存储（CXMT）正筹备进入闪存芯片市场，计划在北京新厂建设 NAND 闪存研发生产线，并已设立相关研究院。三名知情人士称，此举将使其业务从 DRAM 拓展至 NAND，并与三星、SK 海力士、美光及长江存储竞争。
全球 AI 服务器需求推动存储芯片短缺，TrendForce 预计 NAND 供应紧张要到明年下半年才缓解。长鑫存储尚未说明研发线投产时间，也不确定是否会扩大至商业化生产。
Reuters
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华人日记 长鑫科技 DRAM 市占率升至 10%，上半年营收同比增 873% Counterpoint 报告显示，长鑫科技 2026 年第二季度全球 DRAM 营收市占率升至 10%，较去年同期的 4% 明显提升，稳居第四；三星、SK 海力士、美光分列前三。 公司上半年营收 1503.1 亿元，同比增长 873.64%，净利润 776.05 亿元实现扭亏为盈，主要受惠于 AI 基础设施建设带动的存储需求与价格上涨。 联合早报
