Сотрудники Института физики микроструктур РАН (ФИЦ ИПФ РАН) разработали оптимальные дизайны структур на основе теллурида ртути и кадмия (HgCdTe) 👨‍🔬

Эти структуры необходимы для создания излучателей в диапазоне длин волн от 10 до 31 мкм. Особенно это важно для производства компактных полупроводниковых лазерах, излучающих в длинноволновой части среднего инфракрасного ИК-диапазона.

Подробнее в материале портала "Научная Россия":
https://scientificrussia.ru/articles/novaa-aktivnaa-sreda-dla-dlinnovolnovyh-lazerov?utm_source=yxnews&utm_medium=desktop

#ифмран