Китайские инженеры нашли способ создавать 3-нм транзисторы без EUV-литографии

Исследователи из Китая разработали прототип технологии создания транзисторов с архитектурой Gate-All-Around (GAA) с использованием глубокой ультрафиолетовой (DUV) литографии. Подход потенциально может позволить создавать компоненты с технологическими нормами менее 3 нм без передовых установок экстремальной ультрафиолетовой литографии (EUV), доступ к которым ограничен для китайских производителей. Однако разработка пока находится на ранней стадии и не готова к коммерческому производству.

https://hightech.plus/2026/09/21/kitaiskie-inzheneri-nashli-sposob-sozdavat-3-nm-tranzistori-bez-euv-litografii