Решена одна из ключевых проблем создания транзисторов атомарных размеров

Исследователи из тайваньского Национального университета Ян Мин Чао Тун и TSMC разработали сверхтонкий промежуточный слой для транзисторов на основе дисульфида молибдена (MoS₂), который помогает равномерно наносить затворный изолятор и одновременно защищает поток электронов в полупроводниковом канале. Слой оксида алюминия толщиной всего около 0,42 нм позволил создать транзистор с эффективной толщиной изолятора около 1 нм при низкой утечке тока и сохранении хорошей проводимости канала.

https://hightech.plus/2026/09/14/reshena-odna-iz-klyuchevih-problem-sozdaniya-tranzistorov-atomarnih-razmerov