На Тайване создан прототип эффективного двумерного транзистора без кремния

Двумерные полупроводники обещают сделать транзисторы меньше, быстрее и эффективнее кремниевых. Но для управления током в таком сверхтонком канале нужен изолирующий слой диэлектрика, а его нанесение повреждает хрупкую поверхность полупроводника, снижая подвижность электронов. Исследователи из Тайваня нашли обходной путь: они создали сверхтонкий буферный слой, который позволил совместить сверхтонкий диэлектрик с высокими показателями подвижности. И все это на материале, пригодном для промышленного производства.

https://hightech.plus/2026/08/10/na-taivane-sozdan-prototip-effektivnogo-dvumernogo-tranzistora-bez-kremniya