С первой ревизии

PCB Design Guidelines For Reduced EMI
Texas Instruments 1999

Прекрасное пособие по LVDS и не только. Автор рассказывает с какими проблемами вы столкнетесь на высоких частотах и как их решать. Расскажут про терминацию, потери и отражения, как моделировать тракт сигнал и настраивать эквалайзеры. И все это с реальными примерами.

В продолжении темы конденсаторов.
Наткнулся на такой интересный документик по электролитам пока писал статью.

Написал статью про конденсаторы, будет интересна для инженеров всех уровней. Начинаем с классификации, а под конец разбираем неожиданные сюрпризы от этих ребят.

Небольшая статья про подходы к оценке временной разбежки между электрическими сигналами на плате. Хорошее напоминание о том, зачем требуется выравнивать фазу, главное делать это с умом.

Почему стабилитроны на 4,5-5,5В самые лучшие?

Взглянем на графики импеданса и температурного коэффициента стабилитрона в зависимости от напряжения пробоя.
Температурный коэффициент ниже этого диапазона отрицательный, выше - положительный. Аналогично с импедансом.

С чем это связано?

Эффект туннельного пробоя с отрицательным температурным коэффициентом преобладает на малых напряжениях. На высоких напряжениях доминирует эффект лавинного пробоя с положительным температурным коэффициентом. Эти два эффекта сталкиваются в диапазоне напряжений 4,5-5,5В, компенсируя друг друга. Этим и объясняется популярность стабилитронов в этом диапазоне.

Похоже, у автора особые отношения с каскодом

Книга Rugged Embedded Systems. Computing in Harsh Environments.

В книге рассматриваются различные вопросы, которые возникают при проектировании электроники и, в частности, вычислительных систем для встраиваемого применения.
Кроме того, после каждого раздела содержится огромное количество ссылок на литературу, что само по себе ценно.

#Rugged

✔️ Встраиваемые системы. Подписаться.

Мой первый пост на Хабре, в котором разбираю тестовое задание на схемотехника в Яндекс.
Обсудить или предложить улучшения можно в любых комментариях.

Нашел в своих закромах документ с вопросами для подготовки к собеседованию по топологии. Вопросы идут по возрастанию сложности от «что такое печатная плата» до технологических процессов и высокоскоростных интерфейсов.

Мои рассуждения по поводу задачи:

У нас есть 8 ядер по 2 CPI (циклов на инструкцию) на частоте 3 ГГц время на выполнение одной инструкции:
(1 / 3ГГц * 8) * 2 = 83 пс, это 1 / 83 пс = 12 * 10^9 инструкций за секунду.
Из них 12 * 10^9 * 0.67% = 80.4 * 10^6 промахов за секунду.

Требуемая пропускная способность будет равна количеству промахов за секунду на размерность шины L2, поскольку L2 обращается к SDRAM в момент промаха.

Итого требуемая пропускная способность:
80.4 * 10^6 * 32 B = 2572.8 MB/c, если требуется в два раза больше то 5146 MB/с, это соотвествует одной планке DDR2-667 исходя из картинки в комментариях.

Думаю, опытным схемотехникам приведенные выше приемы хорошо известны. Теперь же, я приведу более интересный пример из смежной области, который давно обсуждал с коллегами.

Предположим, у вас есть материнская плата (Baseboard) и карточка (Add-in card). На материнской плате стоит I2C буфер (DD1), линии которого подтянуты к 3V3. I2C материнской платы идет на разъем PCIe карты. На карточке стоит I2C устройство (DD2), линии которого подтянуты к локальному домену питания 3V3_AIC, формируемому на карточке.

Что произойдет с I2C шиной материнской платы в момент вставления карты в разъем и как можно изменить схему, чтобы этого не произошло?

Сегодня поговорим об утечках и как с ними бороться.

Сталкивались ли вы с положительным потенциалом на отключенном домене питания? Самый вероятный сценарий появления напряжения на отключенном питании связан с утечками через соседние домены.

Рассмотрим пример:
На картинке 1 представлены две цифровые микросхемы, микросхема DD1 питается от домена 3V3_STB, DD2 от 3V3. Предположим, 3V3_STB присутствует, 3V3 отключено, в этом случае на питании 3V3 гарантировано появится потенциал. Его размер зависит от токонесущей способности выводов A1 - A3 и сопротивления между 3V3 и землей.

Почему так происходит?
Рассмотрим детальнее выводы A1 и D1. На картинке 2 представлена внутренняя структура микросхемы DD2. На входах цифровых микросхем стоят защитные диоды на питание и землю, через них и будет происходить утечка на 3V3.
На картинке 3 показан путь тока, домен 3V3_STB отказывается соединен с доменом 3V3 через транзистор и диод.

Есть несколько вариантов решения проблемы утечек:
1. Уменьшить сопротивление шины 3V3 (картинка 4). В этом случае ток, формируемый микросхемой, подключенной к домену 3V3_STB создаст лишь небольшое падение на резисторе.
2. Разорвать путь протекания тока. Для этих целей можно использовать буфер с высокоомным выходом (картинка 5). Буфер транслирует сигналы с входа на выход только при наличии питания 3V3 на выводе OE.
3. Снизить ток утекающий в домен. Для этого достаточно добавить последовательные резисторы между A1 и D1.
4. Программно запрещать (при такой возможности) выставлять логическую единицу на выводе A1 до установления питания 3V3.

Channel photo updated

Думаю многим будет интересно посмотреть как выглядит сервер для задач искусственного интеллекта.

STH обозревает продукт от Supermicro, особенно хочется отменить механику (мне понравилась идея с ручками мидплейна на странице 4) и систему охлаждения.