Правильное проектирование цепи драйвера стало еще более критично для GaN транзисторов. В отличии от Si/SiC предельное напряжение которое можно подать на затвор - около 6В (в отличие от 10 и более для кремниевых транзисторов). Основные факторы, на которые автор обращает внимание: мертвое время, высокое падение напряжения (на эквиваленте внутреннего параллельного диода) и индуктивность соединения с затвором. Решения по устранению проблем - в статье.