Найдены новые материалы для сверхбыстрой памяти

Ученые с помощью ИИ обнаружили два перспективных соединения, которые могут совершить революцию в электронике. Это так называемые «Латтинжер-компенсированные» полупроводники. Они сочетают лучшие свойства ферромагнетиков и антиферромагнетиков: у них нет паразитного магнитного поля, но при этом они позволяют эффективно управлять спином электронов при комнатной температуре.

Вот главные претенденты на роль основы для будущей памяти:

• YBaMnFeO₅ — спроектированный ИИ материал. Он обладает отличными показателями, но его крайне сложно синтезировать в нужной кристаллической структуре.

• KV[Cr(CN)₆] — соединение, известное с 1999 года. Оно относится к семейству берлинской лазури, стабильно работает при температурах выше 100 °C и обладает нужными магнитными свойствами.

Теперь исследователям предстоит заново создать KV[Cr(CN)₆] и экспериментально подтвердить его уникальные возможности для спинтроники.