Инженеры из MIT взялись за главную боль современной высокочастотной электроники, за чудовищный перегрев нитрида галлия (GaN)

Этот материал давно пророчат в убийцы классического кремния для базовых станций и радаров, так как он держит конские напряжения и частоты. Но на практике под нагрузкой GaN-чипы раскаляются так, что их приходится жестко душить по мощности, чтобы они не расплавили сами себя.

Вместо того чтобы городить монструозные радиаторы, ученые пошли на радикальный шаг. Они взяли искусственный монокристаллический алмаз (у которого теплопроводность просто моё почтение) и с помощью фемтосекундных лазеров аккуратно выжгли в нем посадочные места. Транзисторы буквально интегрировали прямо в алмазную подложку. Никаких лишних слоев и термопаст, только чистая физика, где алмаз моментально отбирает и рассеивает тепло от транзистора.

В итоге тестовый усилитель мощности показал отличные результаты. Локальные перегревы ушли, никакого троттлинга, а эффективность выкручена на максимум.

Эта технология может стать спасением для будущих вышек 6G, спутниковой связи и оборудования дата-центров, где отвод тепла сжирает огромные бюджеты. Правда, сколько будет стоить серверная стойка на алмазных чипах исследователи скромно умалчивают.

🥸 Новости IT: 📱 Telegram | 📱 ВК | 📲 MAX