🤩 Круглый стол «Локализация материалов для полупроводниковой электроники»
🤩Холодов Михаил Андреевич, начальник научно-производственной лаборатории АО «НИИ Материаловедения им. Ю.А. Малинина»:
Мы обновили операции полировки и шлифовки – и на сегодняшний день мы можем делать фотошаблонные заготовки с неплоскостностью поверхности до 1 мкм. Но это не серийная история, при необходимости мы можем изготовить две-три пластины, чтобы показать, сможет ли данная пластина работать дальше. Средняя же неплоскостность поверхности сейчас составляет 5 мкм.
🤩Иванов Сергей Викторович, член-корр. РАН, д.ф.-м.н., проф., директор:
Физико-технического института им. А. Ф. Иоффе РАНУровень развития машиностроения в области молекулярной эпитаксии у нас несколько опережает уровень развития производства чистых материалов для данных технологий. В то же время для технологий МОС-гидридной эпитаксии у нас уже имеются в наличии материалы: и гидриды и металлоорганика. Таким образом, с точки зрения машиностроения, по материалам мы уже догоняем и пытаемся локализовать эти процессы в отечественных установках МОС-гидридной эпитаксии.
🤩Цацульников Андрей Федорович, д.ф.-м.н., и. о. директора НТЦ микроэлектроники РАН:
На базе установок семейства Dragon для производства гетероструктур и полупроводниковых приборов на основе системы материалов AlInGaN начата разработка установок для других материалов. Совместно с ФТИ им. А.Ф. Иоффе разрабатывается установка МОС-гидридной эпитаксии гетероструктур A3B5 на диаметр подложки 100 мм, с АО НТО – установка МОС-гидридной эпитаксии гетероструктур на диаметр подложки 150 мм, с АО НИИМЭ – установка для выращивания SiGe структур.
🤩Михаилян Ксения Юрьевна, исполнительный директор ООО «Рокор»:
Разработанный метод основан на комбинации уже известных технических решений, заимствованных из трёх разных методов: выращивания монокристаллов в холодном тигле, зонной плавки и краевого роста с плёночной подачей. Основная задача и её результат – это исключение использования дорогого иридиевого тигля. Наш тигель представляет собой нерасплавленные части (боковые и основание) спечённых блоков прессованного оксида галлия в окружении водоохлаждаемых стенок холодного тигля.
🤩Петров Дмитрий Валерьевич, заместитель генерального директора ФГБУ «ВНИИР»:
В текущем году завершаем разработку и выходим на организацию серийного производства 15 материалов. Среди них: особо чистая ртуть, высокочистый металлический висмут, низкофоновый оксид вольфрама высокой чистоты для выращивания кристаллов, танталовые порошки конденсаторного класса, полупроводниковые материалы КНИ структур диаметром 100 мм со скрытыми полостями, структуры «кремний на изоляторе» диаметром 150 мм и 200 мм, фотошаблоны для проекционной и контактной литографии, квантоворазмерные гетероэпитаксиальные структуры на базе отечественного GaAs для диодных лазеров, синтез порошка SiC особой чистоты.
#Микроэлектроника2026
#Холодов
#Иванов
#Цацульников
#Михаилян
#Петров