CXMT вынуждена ускорить переход на память DDR5 с архитектурой ячеек 4F2 под давлением санкций США

Китайская CXMT планирует до конца года начать выпуск DDR5 RDIMM с более плотной архитектурой ячеек 4F2. Такой переход должен помочь компании повысить плотность памяти и сократить отставание от Samsung и SK hynix, хотя для самой CXMT это скорее вынужденный шаг из-за ограничений на поставки литографического оборудования.

Эксперты отмечают, что корейские производители пока могут наращивать плотность памяти более простыми способами, а CXMT приходится раньше осваивать сложные технологии вроде 4F2 и бороться с проблемами теплоотвода. Samsung и SK hynix тоже готовятся к этому переходу, параллельно изучая High-NA EUV и другие методы повышения плотности чипов.

@forgeeks | @forgeeksflash