Samsung разрабатывает три версии z-NAND для ИИ-нагрузок

Samsung расширяет разработку z-NAND, делая ставку на память, адаптированную под задачи искусственного интеллекта. Компания готовит три варианта под разные сценарии: от локальной обработки данных на устройствах до работы в высокопроизводительных дата-центрах.

zNAND-O рассчитана на снижение задержек и использует TSV для вертикальной компоновки кристаллов, zNAND-T — на высокую пропускную способность, а zNAND-I — на быстрые случайные операции ввода-вывода. Такой подход должен помочь Samsung точнее подстраивать память под требования ИИ-систем и конкурировать с SK hynix.

@forgeeks | @forgeeksflash