Китай приблизился к 3 нм-чипам на DUV-литографах

Китайская академия наук показала архитектуру транзисторов GAA, протестированную на DUV-оборудовании. По заявлению авторов, решение теоретически соответствует уровню 3-нм техпроцесса, хотя до промышленного выпуска ещё далеко.

Главный плюс подхода — более точный контроль тока и меньшие утечки по сравнению с FinFET. При этом впереди остаются сложные этапы MEOL и BEOL, связанные с металлизацией и разводкой, которые ещё нужно решить для полноценного производства.

@forgeeks | @forgeeksflash