Китайские учёные создали память для ИИ, способную выдержать 10 млрд циклов перезаписи

Китайские исследователи сообщили о прорыве в области сегнетоэлектрической памяти на основе AlScN: им удалось устранить ключевую причину быстрого износа чипов. Вместо отказа примерно через 100 млн циклов новая структура, по данным учёных, способна выдержать около 10 млрд перезаписей.

Причиной деградации оказались дефекты кристаллической решётки, связанные с вакансиями азота, которые во время переключения мигрируют и образуют токопроводящие каналы. Новая структура ограничивает их движение, что может сделать такую память перспективной для серверов и систем искусственного интеллекта.

@forgeeks | @forgeeksflash