GS Nanotech представит на форуме «Электроника России» модули памяти DDR4 SO-DIMM и GS DDR4 U-DIMM с максимальной локализацией.

Характеристики: 35 баллов; 260 пин (SO-DIMM)/288 пин (U-DIMM); тип памяти DDR4; тактовая частота 3200 МГц; суммарный объём 8/16/32 Гбайт; конфигурация микросхем памяти 1024M/2048Mx64 бит; соответствие стандарту JEDEC JESD-79-4. Модули выполнены на печатной плате 6 класса точности, произведённой в России.

Ознакомиться с продукцией и пообщаться с представителями GS Nanotech можно в павильоне №2 Зал №11, стенд E111

Получите билет на выставку «Электроника России» по промокоду tgelectron.

25–27 ноября, Крокус Экспо.