Новый технологический рывок КНР

Китайские исследователи добились первых успехов в снижении технологических параметров полупроводниковых технологий до менее чем 3 нм, используя более старые технологии литографии, поскольку более совершенные инструменты экстремальной ультрафиолетовой литографии (EUV) от ASML по-прежнему заблокированы в соответствии с санкциями США.

Этот прорыв знаменует собой очередной шаг вперед в стремлении Китая найти альтернативный путь к производству передовых микросхем в условиях экспортных ограничений США.

Согласно действующим правилам экспортного контроля, голландскому гиганту по производству оборудования ASML запрещено продавать свои современные установки EUV – необходимые для производства микросхем с технологическим процессом ниже 7 нм – китайским клиентам — пишет South China Morning Post

Как считают другие источники, — китайские производители, возглавляемые технологическими гигантами вроде SMIC, смогли обойти эти ограничения за счет глубокой модернизации и многократного экспонирования на уже имеющихся машинах глубокого ультрафиолета.

Эксперты отрасли отмечают, что использование DUV-литографии для достижения суб-3-нанометровых параметров сопряжено с колоссальными технологическими трудностями.

Главные из них — резкое снижение процента выхода годных кристаллов и критическое удорожание производства из-за необходимости наложения до четырех и более масок на один слой кремниевой пластины.

Тем не менее, данный успех наглядно демонстрирует, что санкционная стратегия США по полной технологической блокаде КНР сталкивается с серьезным сопротивлением.

Вместо остановки прогресса — жесткие ограничения Вашингтона вынудили Пекин мобилизовать внутренние ресурсы и направить беспрецедентные государственные субсидии в сектор R&D.

В долгосрочной перспективе это не только снижает зависимость Поднебесной от западных технологий, но и создает альтернативную, полностью суверенную экосистему производства полупроводников, способную конкурировать на мировом рынке.

Источник