Прокуратура утверждает, что группа передала Китаю производственные секреты Samsung по 10-нм DRAM, которые попали к ChangXin Memory Technologies (CXMT).
10-нм DRAM (Dynamic Random Access Memory) - это динамическая память с произвольным доступом следующего поколения, где «10 нм» указывает на технологический процесс уменьшения размеров транзисторов и ячеек памяти, позволяющий упаковать больше памяти на кристалл, повышая плотность и энергоэффективность.
DRAM производится через сотни строго упорядоченных шагов.
Небольшое отклонение - и хорошая пластина становится браком.
По версии следствия:
- сотрудник компании переписывал процесс вручную, обходя цифровой контроль
- заметки использовали, чтобы восстановить и адаптировать процесс под оборудование CXMT
- дело также затрагивает попытки получить технологии SK hynix через подрядчика
Сообщается, что 5 фигурантов арестованы, остальные проходят без задержания (обвинения по закону о защите промышленных технологий).
Ущерб Samsung оценивается в $7–13 млрд.
На создание такой памяти обычно уходят годы и приходится множество неудачных запусков.
news.yahoo.co.jp/articles/f2f6b69b1ba1395c51a0538a1b24328f776254de