Post #3284 5 Oct 14, 2026, 11:40 UTC 中国长鑫存储4F² DDR5内存技术遭华尔街分析师质疑:年内推出不等于领先三星两年 良率才是关键[精选新闻] · [软硬件技术] · [互动娱乐] · [商业产业] · [趣闻八卦] cnBeta.COM 中国长鑫存储4F² DDR5内存技术遭华尔街分析师质疑:年内推出不等于领先三星两年 良率才是关键 中国存储芯片制造商长鑫存储(CXMT)近日公布了下一代DRAM内存技术的进展,计划在2026年底前推出采用4F²存储单元架构的服务器DDR5注册内存条(RDIMM)。由于三星电子此前被认为要到2028年前后才会推进类似技术,这一时间表一度被解读为长鑫存储有望在特定DRAM架构上领先韩国竞争对手约两年。