美光侵权中国长江存储
德国慕尼黑第一地方法院（Munich I Regional Court）日前裁定，美国 Micron 侵犯了两项中国长江存储（YMTC）的 3D NAND 快闪记忆体技术专利，并正式颁布初步禁制令。届时 Micron NAND Flash 晶片以至采用 Micron NAND Flash 的相关产品，均将无法进入德国市场。
根据台湾《Digitimes》报道，德国慕尼黑第一地方法院于 9 月 18 日作出判决。长江存储于 2025 年底向该法院提起诉讼，合共提出 5 项专利侵权指控，内容涉及 4 项具备 10 年保护期的德国新型专利（Utility Models）以及 1 项欧洲专利。
经审理后，法院裁定专利号码 DE202020006166U1 与 DE202021004551U1 的侵权指控属实；至于其余专利指控，法院目前则裁定延期审理。由于本案现阶段属于一审判决，Micron 仍有权提出上诉。
回顾长江存储与美国 Micron 的诉讼攻防，双方争端始于 2023 年长江存储在美国加州控告美光侵犯其 8 项 3D NAND 架构专利，随后战线迅速扩大，演变成涵盖全球 20 多项专利的跨国法律战。
根据德国慕尼黑第一地方法院发出的初步禁令，任何涉及侵权的 Micron 晶片，以及采用该晶片的终端储存产品（例如 PC、智能手机等），一律禁止在该司法管辖区（德国境内）进口、行销及销售，而已进口并正在发售的产品亦必须全数召回。