长鑫新技术传言引发全球存储股大跌
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每日消费电子观察 长鑫 4F² 架构 DDR5 年底亮相，剑指服务器内存市场 目前DRAM行业内主流是6F²架构，代表每个存储单元占6倍最小特征尺寸的平方。而4F²架构同面积存储密度可提升30%至50%。 核心是长鑫自研的VSG晶体管，采用了垂直包围沟道结构，能实现更强栅控，解决漏电与短沟道效应痛点，同时竖立的晶体管也助力面积微缩，提升存储密度。 https://udn.com/news/story/7333/9806805 长鑫有可能比三星和海力士更早量产4F²产品，像上次LPDDR6那样抢个首发。 至于美光？它选择跳过4F²直接去赌…Nikkei 长鑫新技术传言引发全球存储股大跌 马斯克说：“中国一旦确立制造方法，在扩大生产方面的能力将超过其他所有国家的总和”。博通CEO陈福阳12日谈及AI领域投资者时说：参与AI热潮的许多投资者并不了解自己究竟在投资什么……
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