Китай за десять лет дошёл до DRAM. Россия продолжает сосредотачиваться

Китайская CXMT 20 сентября объявила о начале массового производства DRAM на технологической платформе пятого поколения. Это, кто не знал, динамическая оперативная память, база современной «думающей» электроники. Расстояние между ключевыми структурами ячейки памяти удалось сократить до 11,95 нм, количество потенциально получаемых кристаллов с одной пластины выросло минимум на 50%.

CXMT была создана только в 2016 году. Строительство первой фабрики началось в 2017-м, в 2019-м компания запустила массовое производство DDR4. По итогам 2025 года она уже контролировала около 7,7% мирового рынка DRAM, став четвёртым производителем после Samsung, SK Hynix и Micron.

То есть менее чем за десять лет проект прошёл путь от создания предприятия практически с нуля до заметного участника глобального рынка. Причём CXMT уже собирается заходить и в NAND, где у Китая есть другой крупный игрок — YMTC. Полной независимости ещё нет: в передовой HBM-памяти китайцы отстают, а доступ к наиболее совершенной литографии ASML остаётся закрытым. Но речь всё меньше идёт о копировании старых поколений.

Наша Стратегия развития электронной промышленности, утверждённая ещё в 2020 году, предусматривала освоение производств 65–45 нм, 28 нм, 14–12 нм и в перспективе 7–5 нм, создание соответствующих кремниевых фабрик и развитие производства собственной памяти.

Понятно, война и санкции. Но на 2026 год «Микрон» по-прежнему называет себя единственным российским серийным производством микроэлектроники с топологическими нормами до 90 нм. В современной памяти российская промышленность продвинулась прежде всего в локализации более высоких стадий сборки: GS Nanotech, например, выпускает отечественные DDR5-модули, производит платы, корпусирует SPD-контроллер и осуществляет монтаж, но сами современные DRAM-кристаллы российскими не являются.

По данным правительства, в 2021–2025 годах на микро- и радиоэлектронику направили более 500 млрд рублей, ещё свыше 250 млрд предусмотрено на следующие три года. Модернизированы 12 технологических линий, планируется ещё семь, а к 2030 году правительство рассчитывает более чем восьмикратно увеличить мощности по обработке пластин. Показательно другое: одной из задач государственной программы остаётся импортозамещение около 70% оборудования, материалов и средств проектирования, используемых самой микроэлектронной промышленностью.

То есть России приходится одновременно пытаться производить микросхемы и восстанавливать станки, материалы и инструменты, на которых эти микросхемы должны выпускаться. У Китая стартовая позиция принципиально другая. Только третья очередь финансирования микроэлектроники, созданная в 2024-м, получила $47,5 млрд.

Но дело не только в деньгах. Китай импортозамещает микроэлектронику внутри уже существующего крупнейшего мирового производственного кластера. Рядом с CXMT находятся производители смартфонов, серверов, телекоммуникационного оборудования, аккумуляторов, автомобилей и промышленной электроники.

Для России это всё невозможно на обозримом горизонте. Передовая полупроводниковая фабрика требует огромных постоянных расходов и имеет смысл только при массовом выпуске. Российский внутренний рынок существенно меньше китайского, а отечественных производителей, способных постоянно поглощать десятки миллионов передовых кристаллов, практически нет.

Хорошая новость только в том, что теперь можно будет покупать нужную компонентную базу не только на Западе. Чтобы получить действительно технологический суверенитет, явно нужно менять подход.