Компания Samsung продемонстрировала первые в мире вычисления в оперативной памяти на основе MRAM

◾️ Чтобы добиться поставленной цели, исследователи компании заменили стандартную архитектуру вычислений в памяти с «текущей суммой» на новую — с «суммой сопротивлений». Это решает проблему малых сопротивлений отдельных устройств MRAM, заявили исследователи

◾️Тестирование производительности ИИ, развернутого на вычислительном чипе в памяти, показало 98% точность в классификации рукописных цифр и 93% — в обнаружении лиц

◾️ Исследователи также предположили, что новый чип MRAM можно использовать не только для вычислений в памяти, но и в качестве платформы для загрузки биологических нейронных сетей. Это соответствует концепции нейроморфной электроники, которую исследователи Samsung выдвинули в статье, опубликованной в журнале Nature Electronics за сентябрь 2021 года

◾️В стандартной компьютерной архитектуре данные хранятся в микросхемах памяти, а обработка выполняется на центральном процессоре. Вычисления в памяти — это новая парадигма. Она стремится выполнять как хранение данных, так и расчеты в сети памяти без необходимости перемещения информации

◾️Это позволит снизить электропотребление вычислительных мощностей при обработке больших массивов данных, считают ученые

Магниторезистивная оперативная память (MRAM — англ. magnetoresistive random-access memory) — запоминающее устройство с произвольным доступом на основе спиновых вентилей. Хранит информацию при помощи магнитных моментов, а не электрических зарядов